进入2021年，半导体行业热度不减，知名半导体厂商在第三代半导体赛道的竞争已如箭在弦。性能优势与应用市场的乐观预测，使第三代半导体在上下游企业及资本市场上备受追捧，全球功率半导体IDM龙头及其他赛道的佼佼者纷纷加码第三代半导体材料。闻泰科技全资子公司安世半导体氮化镓市场与商业化总监Giuliano Cassataro近日应邀接受CENA专访，就第三代半导体在后摩尔时代的应用、第三代半导体产业化进程及技术趋势等问题发表了看法。
Cassataro认为，后摩尔时代的第三代半导体将带来一场电力电子领域的革命。他说：“随着设计人员开始探索氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙 (WBG) 半导体技术的优点，我们正在经历电力电子领域的一场革命。 WBG 器件具备三大优势：提升效率；增加功率密度；并降低系统成本。这些都是改变游戏规则的技术，此前我们从未见过任何新技术在推出时就能够比旧的技术更具成本效益、拥有更广泛的产品系列或拥有更多成功案例。”
Cassataro介绍了闻泰科技安世半导体开展第三代半导体业务的最新情况：“安世半导体的目标是成为电动车用 GaN 器件的市场领导者。为实现这一目标，安世半导体三年来不断巩固氮化镓器件技术领先性，从最初推出 RDS(on) 为 60 mΩ 的 650 V 晶体管，到30 mΩ 的新器件，并很快将达到 5 mΩ。安世半导体GaN器件的发展非常迅速，尤其是在开发市场领先的封装技术方面。因此，联合汽车电子有限公司 (UAES) 等汽车领域的公司也与安世建立了合作伙伴关系，以解决电动汽车动力系统日益增长的技术要求，并共同开发基于 GaN 技术的汽车应用。”
安世半导体2021年加大对晶圆厂投资，升级8 英寸晶圆生产线，以确保能够满足市场对半导体不断增长的需求。而作为封装技术领导者，安世半导体除了TO-247插件封装之外，还拥有一款CCPAK贴片封装的GaN 器件，习惯使用贴片封装硅器件的设计人员可以轻松切换到 GaN，从而利用该技术提升效率、功率密度和成本优势。
Cassataro对安世在第三代半导体领域的优势充满信心：“新一代宽带隙器件（如 GaN）将在芯片上集成更多功能——这就是 GaN IC的优势。 此类器件已经开始用于高功率和低功率应用，例如电池充电器。而汽车行业应用也在推动更高的电压——从 650 V 到 1200 V，而安世半导体将助力解决这个问题。”
闻泰科技安世半导体近年来对第三代半导体研发、制造等领域的持续发力。在获得闻泰科技收购后，安世在第三代半导体赛道上可谓动作频繁：2020年6月，安世半导体宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术，该技术采用了传统的TO-247封装和创新的铜夹片贴片封装CCPAK。2021年3月，安世半导体宣布与国内汽车行业主要供应商联合汽车电子有限公司（简称UAES）在功率半导体氮化镓（GaN）领域展开深度合作，以满足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技术需求，并共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发和应用。2021年4月，安世半导体宣布其具有显著性能优势的第二代 650 V 功率 GaN FET 器件系列开始批量供货。
此外，安世于2021年7月最新收购的英国新港晶圆厂（Newport）也同样具备第三代半导体晶圆制造的能力。而在研发层面，安世在马来西亚槟城和中国上海新设的研发中心，更将为安世的第三代半导体产品打下坚实的研发基础。目前来看，第三代半导体无疑将成为众多半导体巨头们的“兵家必争之地”。而作为各大厂商中率先布局第三代半导体器件的企业之一，“后摩尔”时代的闻泰科技安世半导体已开足马力，要在第三代半导体的舞台上大展拳脚。
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